１、无压烧结
    １９７４年美国ＧＥ公司通过在高纯度β－ＳｉＣ细粉中同时加入少量的Ｂ和Ｃ，采用无压烧结工艺，于２０２０℃成功地获得高密度ＳｉＣ陶瓷。目前，该工艺已成为制备ＳｉＣ陶瓷的主要方法。美国ＧＥ公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于１．７３２是致密化的热力学条件，当同时添加Ｂ和Ｃ后，Ｂ固溶到ＳｉＣ中，使晶界能降低，Ｃ把ＳｉＣ粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此Ｂ和Ｃ的添加为ＳｉＣ的致密化创造了热力学方面的有利条件。然而，日本研究人员却认为ＳｉＣ的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，ＳｉＣ的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加Ｂ和Ｃ的β－ＳｉＣ烧结体中，有富Ｂ的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。  以α－SiC为原料，同时添加Ｂ和Ｃ，也同样可实现ＳｉＣ的致密烧结。
    研究表明：单独使用Ｂ和Ｃ作添加剂，无助于ＳｉＣ陶瓷充分致密。只有同时添加Ｂ和Ｃ时，才能实现ＳｉＣ陶瓷的高密度化。为了ＳｉＣ的致密烧结，ＳｉＣ粉料的比表面积应在１０ｍ２／ｇ以上，且氧含量尽可能低。Ｂ的添加量在０．５％左右，Ｃ的添加量取决于ＳｉＣ原料中氧含量高低，通常Ｃ的添加量与ＳｉＣ粉料中的氧含量成正比。
    最近，有研究者在亚微米ＳｉＣ粉料中加入Ａｌ2Ｏ３和Ｙ２Ｏ３，在１８５０℃～２０００℃温度下实现ＳｉＣ的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构，因而，其强度和韧性大大改善。
２、热压烧结
    ５０年代中期，美国Ｎｏｒｔｏｎ公司就开始研究Ｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｌ等金属添加物对ＳｉＣ热压烧结的影响。实验表明：Ａｌ和Ｆｅ是促进ＳｉＣ热压致密化的最有效的添加剂。
    有研究者以Al２O３为添加剂，通过热压烧结工艺，也实现了ＳｉＣ的致密化，并认为其机理是液相烧结。此外，还有研究者分别以B４C、B或Ｂ与Ｃ，Al２O３和Ｃ、Al２O３和Y２Y３、Ｂｅ、Ｂ４Ｃ与Ｃ作添加剂，采用热压烧结，也都获得了致密ＳｉＣ陶瓷。
    研究表明：烧结体的显微结构以及力学、热学等性能会因添加剂的种类不同而异。如：当采用Ｂ或Ｂ的化合物为添加剂，热压ＳｉＣ的晶粒尺寸较小，但强度高。当选用Ｂｅ作添加剂，热压ＳｉＣ陶瓷具有较高的导热系数。
３、热等静压烧结：
    近年来，为进一步提高ＳｉＣ陶瓷的力学性能，研究人员进行了ＳｉＣ陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以Ｂ和Ｃ为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在１９００℃便获得高密度ＳｉＣ烧结体。更进一步，通过该工艺，在２０００℃和１３８ＭＰａ压力下，成功实现无添加剂ＳｉＣ陶瓷的致密烧结。
    研究表明：当ＳｉＣ粉末的粒径小于０．６μｍ时，即使不引入任何添加剂，通过热等静压烧结，在１９５０℃即可使其致密化。如选用比表面积为２４ｍ２／ｇ的ＳｉＣ超细粉，采用热等静压烧结工艺，在１８５０℃便可获得高致密度的无添加剂ＳｉＣ陶瓷。
    另外，Ａｌ２Ｏ３是热等静压烧结ＳｉＣ陶瓷的有效添加剂。而Ｃ的添加对ＳｉＣ陶瓷的热等静压烧结致密化不起作用，过量的Ｃ甚至会抑制ＳｉＣ陶瓷的烧结。
４、反应烧结：
ＳｉＣ的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α－ＳｉＣ粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Ｓｉ接触，坯体中的Ｃ与渗入的Ｓｉ反应，生成β－ＳｉＣ，并与α－ＳｉＣ相结合，过量的Ｓｉ填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结ＳｉＣ通常含有８％的游离Ｓｉ。因此，为保证渗Ｓｉ的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中α－ＳｉＣ和Ｃ的含量，α－ＳｉＣ的粒度级配，Ｃ的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。
    实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的ＳｉＣ陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结ＳｉＣ陶瓷相对较多，反应烧结ＳｉＣ相对较低。另一方面，ＳｉＣ陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结ＳｉＣ陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结ＳｉＣ陶瓷对ＨＦ等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于９００℃时，几乎所有ＳｉＣ陶瓷强度均有所提高；当温度超过１４００℃时，反应烧结ＳｉＣ陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是由于烧结体中含有一定量的游离Ｓｉ，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）对于无压烧结和热等静压烧结的ＳｉＣ陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。
    总之，ＳｉＣ陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一般说来，无压烧结ＳｉＣ陶瓷的综合性能优于反应烧结的ＳｉＣ陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的ＳｉＣ陶瓷。